RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Сравнить
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB против Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
-->
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3171
3232
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link