RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2982
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link