RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2982
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link