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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3449
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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