RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3449
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link