RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link