RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link