RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link