RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link