RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link