RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link