RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link