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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
44
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2523
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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