RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2523
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link