RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3681
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link