RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3510
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link