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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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