RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link