RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link