RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
65
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
56
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2455
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link