RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3114
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link