RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link