RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link