RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2845
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GZH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link