Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    61 left arrow 65
    Por volta de -7% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 61
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,605.9 left arrow 4,614.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    878 left arrow 772
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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