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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
2,366.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
65
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
65
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
4,614.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
2,366.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
772
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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