Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Puntuación global
star star star star star
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    61 left arrow 65
    En -7% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 61
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,605.9 left arrow 4,614.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,366.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    878 left arrow 772
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones