Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,451.8 2,366.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

61 65

Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 4

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

878 772

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns