RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link