RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link