RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    870.4 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB Причины выбрать
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 87
    Около -74% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    87 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,155.6 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    870.4 left arrow 13.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    417 left arrow 2950

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
модули RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
модули RAM