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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
87
左右 -74% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
50
读取速度,GB/s
3,155.6
16.3
写入速度,GB/s
870.4
13.9
内存带宽,mbps
5300
no data
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
417
2950
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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