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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kllisre D4 8G 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kllisre D4 8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
47
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre D4 8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
47
读取速度,GB/s
12.0
11.7
写入速度,GB/s
7.8
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2143
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Kllisre D4 8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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