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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
43
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
43
读取速度,GB/s
10.6
12.2
写入速度,GB/s
9.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2501
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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