RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
43
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
43
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2501
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link