RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link