RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
UMAX Technology 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link