RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link