RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link