RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
37
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
37
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link