RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link