RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link