RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1731
2374
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link