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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1731
2374
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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