RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2756
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link