RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
34
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
3606
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link