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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
34
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3606
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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