Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 92
    Около -241% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 1,266.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    92 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,105.4 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,266.1 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    339 left arrow 2756
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения