RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
9.7
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
1767
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link