RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3252
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link